| 提交詢價信息 |
| 發布緊急求購 |
價格:電議
所在地:上海
型號:WINETCH
更新時間:2024-03-05
瀏覽次數:709
公司地址:上海市康橋東路1159弄91號
![]()
王先生(先生)
CCP等離子刻蝕機WINETCH刻蝕系統通過電容耦合(CCP)方式產生高密度等離子體,按掩膜(例如光刻膠掩膜)圖形、實現對介質材料(例如氧化硅SiO2、氮化硅SiNx等)的選擇性刻蝕。
CCP系統主要由以下幾部分組成:反應腔室、下電 、噴淋頭(上電)、射頻電源、真空系統、預真空室、氣路系統、控制系統與軟件、配套附件等。
CCP等離子刻蝕機產品特點:
-刻蝕形貌好、工藝性能優越
-高選擇比、高刻蝕速率
-低擁有成本和消耗成本

CCP等離子刻蝕機技術參數:
晶圓尺寸:6/8寸兼容
適用工藝:等離子體刻蝕
適用材料:SiO2,Si3N4,etc.
適用域:化合物半導體、MEMS、功率器件、科研等域
免責聲明:以上所展示的[WINETCH CCP等離子刻蝕機]信息由會員[上海沛沅儀器設備有限公司]自行提供,內容的真實性、準確性和合法性由發布會員負責。