電力半導體全動態(tài)測試儀的基本原理是在一個工頻半周內對被測元件施加半波電流，電流的平均值由元件的額定電流值決定，而在另一個半周內施加正向或反向的正弦半波阻斷電壓，測量它的動態(tài)阻斷伏安特性，它模擬了元件在整流電路中的工作情況。

西安智盈電氣科技有限公司成立于2019年，公司地處西安市西咸新區(qū)秦創(chuàng)園國家高新技術開發(fā)區(qū)，本公司是一家集科研開發(fā)，生產經營，技術服務為一體具有自主知識產權的高新技術企業(yè)。公司技術工藝，檢測手段完善，擁有一批長期從事電力電子技術，自動控制系統(tǒng)與應用，感應加熱技術，微電子技術基礎建設等研究開發(fā)的高級工程師和技術人才，實力雄厚，多項產品在行業(yè)中處于地位。已通過ISO9001質量管理體系認證，產品廣泛應用于半導體器件研發(fā)，電力，鐵路交通，新能源汽車，石油，化工，環(huán)保電子等行業(yè)，公司生產的主要產品有功率半導體器件及組件的檢測設備及工藝設備等。公司還致力于發(fā)展系統(tǒng)工程，程序控制。新能源開發(fā)及應用等新技術產業(yè)，公司具有較強的技術開發(fā)能力，可根據用戶和市場的需求，提供技術方案，技術咨詢，專業(yè)培訓與服務，奉行技術創(chuàng)新，誠信服務愿與國內外同行及用戶真誠合作共同進入高科技的新時代。

通過我們自己研發(fā)的各種產品，比如像半導體器件測試儀，加快了半導體各類材料、半導體器件和工藝的開發(fā)，完成制程控制、可靠性分析和故障分析；諸如IGBT靜態(tài)參數測試系統(tǒng)、IGBT動態(tài)參數測試系統(tǒng)，它們可以滿足對IGBT的大電流、高電壓的測試要求，是檢測半導體器件的關鍵設備；還有像雪崩能量測試儀、晶閘管電參數測試儀、二極管電參數測試儀、功率模塊可靠性測試儀、模塊高溫阻斷試驗設備等產品，做的也是相當的出彩，這就是我對我們的產品十分的有信心，這就是我們團隊所有的力量。質量是企業(yè)長遠生存的根基，是企業(yè)競爭的免死，質量在心中，責任在肩上，誠信在言行中，相信我們國標標準，控在品質！

多年來，公司與時俱進，產品銷往全國各地，據不完全統(tǒng)計，有深圳華為技術有限公司、蘇州華為技術有限公司、深圳比亞迪股份有限公司、深圳華科智源科技有限公司、廣東慧核工業(yè)器材有限公司、安徽長飛半導體有限公司、天津中科方德科技有限公司、江蘇揚杰半導體有限公司、新飛宇電子科技有限公司、揚州國宇電子有限公司、國網電力科學研究院有限公司、大連東芝電力機車、清華大學、南京大學、華北電力大學等一些國有大型企業(yè)與之合作，經過我們的不時努力和追求，也博得了眾多企業(yè)的認可和好評。追求永不停步，創(chuàng)新永無止境，為取得長足發(fā)展，公司會以優(yōu)質的產品、前沿的技術和周到的服務來回饋用戶，為社會的科技進步作出貢獻！

核心業(yè)務為半導體功率器件測試設備的研制生產，參數測試設備：

可控硅/晶閘管（參數測試設備：

靜態(tài)參數測試；動態(tài)參數測；浪涌參數測試；老化可靠性測試（高溫阻斷）；熱阻參數測試。

MOSFET參數測試設備：
靜態(tài)參數測試（包括IGSS / BVR / VDS（Sat） / IDSS / VGSTH / VF / RDS（on））；動態(tài)參數（開通關斷/反向恢復/短路/安全工作區(qū)）測試（包括Turn_on&off / Qrr_FRD / Qg / Rg / UIS / SC / RBSOA 等）；雪崩能力測試，老化及可靠性測試（HTRB / HTGB）。
IGBT參數測試設備：
靜態(tài)參數測試（包括IGE / VGE(th) / VCEsat / VF / ICE /

電力半導體全動態(tài)測試儀
一. 功能簡介

電力半導體全動態(tài)測試儀的基本原理是在一個工頻半周內對被測元件施加半波電流，電流的平均值由元件的額定電流值決定，而在另一個半周內施加正向或反向的正弦半波阻斷電壓，測量它的動態(tài)阻斷伏安特性，它模擬了元件在整流電路中的工作情況。

全動態(tài)測試法是對元件的通態(tài)電流能力、阻斷電壓能力的一種綜合測試，已被國內廣大用戶所接受。

本試驗臺可對器件的室溫特性及正向壓降等幾個參數進行測試，試驗臺在試驗時，可根據需要對試驗時間進行設定，試驗臺有平均漏電流顯示，并具有保護功能。

二.              技術條件：

1．適用范圍：

本電源適用于300A以下的模塊型整流二極管及模塊型晶閘管的性能考核。本實驗臺的測試方法參照原行業(yè)全動態(tài)測試方法。

2．  動態(tài)測試的技術指標：

1） 平均電流ITAV：  低檔：約20—50A      精度±5%   分辨率1A

gaodang： 約50—300A      精度±5%    分辨率1A

指針表顯示

電流波形為近似正選半波，導通角170°左右

阻斷電壓波形為底寬10mS的正弦半波

電流調節(jié)：手動調壓器

2） 平均壓降：VTAV=0.1—2.5V   精度±3%   分辨率0.01 V

指針表顯示

3） 正反向不重復峰值電壓：200—3000V   精度±5%   分辨率10V

4） 正反向峰值漏電流IDRM、IRRM：0.1-20 mA

精度±3%，分辨率0.01

保護漏電流1-20 mA

峰值阻斷電壓、電流為數字表顯示

阻斷電壓為手動調節(jié)

5） 測試頻率：50HZ

6） 伏安特性具有過流保護及過流指示。

7） 電源主電路開關器件采用水冷卻，保證動態(tài)考核的準確性。

8） 連接被測方式：手動連接
(遼寧科研院所）
電力半導體全動態(tài)測試儀

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