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可控硅反向恢復測試設備

西安智盈電氣科技有限公司
會員指數: 企業認證:

價格:電議

所在地:陜西 西安市

型號:

更新時間:2024-09-25

瀏覽次數:916

公司地址:西安市西咸新區中興深藍科技產業園

張芳(女士) 總經理 

產品簡介

可控硅反向恢復測試設備主要完成功率器件在高di/dt下反向恢復特性參數的測試。本技術規格書適用于ZY-Trr型功率半導體反向恢復特性測試臺(下面簡稱測試臺),規定了測試臺的技術參數要求,試驗方法、檢驗驗收及包裝運輸要求等。本技術規范并未對一切技術細節做出規定,所提供的貨物應符合工業標準和本技術規范中所提要求。

公司簡介

西安智盈電氣科技有限公司成立于2019年,公司地處西安市西咸新區秦創園國家高新技術開發區,本公司是一家集科研開發,生產經營,技術服務為一體具有自主知識產權的高新技術企業。公司技術工藝,檢測手段完善,擁有一批長期從事電力電子技術,自動控制系統與應用,感應加熱技術,微電子技術基礎建設等研究開發的高級工程師和技術人才,實力雄厚,多項產品在行業中處于地位。已通過ISO9001質量管理體系認證,產品廣泛應用于半導體器件研發,電力,鐵路交通,新能源汽車,石油,化工,環保電子等行業,公司生產的主要產品有功率半導體器件及組件的檢測設備及工藝設備等。公司還致力于發展系統工程,程序控制。新能源開發及應用等新技術產業,公司具有較強的技術開發能力,可根據用戶和市場的需求,提供技術方案,技術咨詢,專業培訓與服務,奉行技術創新,誠信服務愿與國內外同行及用戶真誠合作共同進入高科技的新時代。

通過我們自己研發的各種產品,比如像半導體器件測試儀,加快了半導體各類材料、半導體器件和工藝的開發,完成制程控制、可靠性分析和故障分析;諸如IGBT靜態參數測試系統、IGBT動態參數測試系統,它們可以滿足對IGBT的大電流、高電壓的測試要求,是檢測半導體器件的關鍵設備;還有像雪崩能量測試儀、晶閘管電參數測試儀、二極管電參數測試儀、功率模塊可靠性測試儀、模塊高溫阻斷試驗設備等產品,做的也是相當的出彩,這就是我對我們的產品十分的有信心,這就是我們團隊所有的力量。質量是企業長遠生存的根基,是企業競爭的免死,質量在心中,責任在肩上,誠信在言行中,相信我們國標標準,控在品質!

多年來,公司與時俱進,產品銷往全國各地,據不完全統計,有深圳華為技術有限公司、蘇州華為技術有限公司、深圳比亞迪股份有限公司、深圳華科智源科技有限公司、廣東慧核工業器材有限公司、安徽長飛半導體有限公司、天津中科方德科技有限公司、江蘇揚杰半導體有限公司、新飛宇電子科技有限公司、揚州國宇電子有限公司、國網電力科學研究院有限公司、大連東芝電力機車、清華大學、南京大學、華北電力大學等一些國有大型企業與之合作,經過我們的不時努力和追求,也博得了眾多企業的認可和好評。追求永不停步,創新永無止境,為取得長足發展,公司會以優質的產品、前沿的技術和周到的服務來回饋用戶,為社會的科技進步作出貢獻!


核心業務為半導體功率器件測試設備的研制生產,參數測試設備:

可控硅/晶閘管(參數測試設備:

靜態參數測試;動態參數測;浪涌參數測試;老化可靠性測試(高溫阻斷);熱阻參數測試。

MOSFET參數測試設備:
靜態參數測試(包括IGSS / BVR / VDSSat / IDSS / VGSTH / VF / RDSon));動態參數(開通關斷/反向恢復/短路/安全工作區)測試(包括Turn_on&off / Qrr_FRD / Qg / Rg / UIS / SC / RBSOA 等);雪崩能力測試,老化及可靠性測試(HTRB / HTGB)。
IGBT
參數測試設備:
靜態參數測試(包括IGE / VGE(th) / VCEsat / VF / ICE /

展開

產品說明

可控硅反向恢復測試設備
1.         總 則[濱1]

可控硅反向恢復測試設備主要完成功率器件在高di/dt下反向恢復特性參數的測試。

本技術規格書適用于ZY-Trr型功率半導體反向恢復特性測試臺(下面簡稱測試臺),規定了測試臺的技術參數要求,試驗方法、檢驗驗收及包裝運輸要求等。

本技術規范并未對一切技術細節做出規定,所提供的貨物應符合工業標準和本技術規范中所提要求。

2.         引用標準[濱2]

GB/T 15291-2015 半導體器件 第6部分:晶閘管

JB/T 7624-2013 整流二極管測試方法

JB/T 7626-2013 反向阻斷三極晶閘管測試方法

以及國標、IEC、IEEE相關標準,以上標準均執行最新版本。如本技術規范與上述各標準之間有矛盾,則應滿足較高標準。



可控硅反向恢復測試設備


3.       技術要求 3.1.     測試主機


4.2主回路參數

序號

項目

指標范圍

分辨率

誤差范圍

備注

1

直流電源

100V~4000V連續

10V

±3%±10V

DC

2

支撐電容

≥5mF


±5%±5uF

C

3

Didt調節電感

0.5uH~1uH~2uH;分3檔手動調節


±5%


4

電流采集(I1)

CWT30B



6000A

5

電壓采集(v+/v-)

TEKP6015A



20KV

6

過流保護(I2)

CP9600LF




7

負載電感

分檔:50uH/100uH/200uH/500uH




8

R/C

IGCT吸收電阻




9

IGCT器件(Q1)

滿足電壓和電流量程





4.3測試參數

序號

參數

測試范圍

精度

備注

1

-di/dt

200 ~5000A/us

±3%


2

VR

0-4000V

±3%


3

IF

200-5000A

±3%


4

IRR

0~5000A

±3%


注: 以上參數能夠同時實現并獨立可調同時能夠測試反向恢復電荷Qrr、Qra,反向恢復電流IRM、反向恢復時間trr、ta,tb,s(軟度因子),恢復能量Eoff。

4.4自動恒溫壓力夾具

序號

項目

參數

備注

1

工作方式

自動


2

壓力范圍

10~130KN分辨率0.1 KN;精度±5%


3

溫度控制范圍

70~180℃,分辨率0.1℃

高壓陽極控溫器采用非接觸式測溫


5、              檢測參數

參數

項目

*正向電流

范圍:200-5000A,連續可調;

±3%±2A;


*二極管電壓

范圍:300-4000V,連續可調;

±3%±2V;


反向恢復電流測量范圍

范圍:200-5000A,連續可調;

±3%±10A


反向恢復電荷測量范圍

200-35000μC±3%±10μC


反向恢復時間測量范圍

0.01-40μs±3%±0.05μs


反向恢復能量測量范圍

0.1-1000J±3%±0.1J


*可選電感

0.2、0.5、1、2、3μH可選


電流變化率

500A/μs-2500A/μs 可調


[濱1]簡單描述設備功能,并介紹技術規格書的定義內容

[濱2]梳理本技術規格書引用到的標準
(北京半導體器件研發)

可控硅反向恢復測試設備



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