電子背散射硅探測器設計結構為環形象限、靶孔和帶薄入口窗的雙元素探測器，針對性的用于電子顯微鏡中1keV的低能電子探測。

北京鑫東鑫科技有限公司于2015年注冊成立。本著 “以客戶服務為中心”的經營理念，為國內核物理、高能物理、粒子物理等領域內用戶提供實驗和設備所需的高精尖產品。產品范圍涵蓋了：各類核探測器，無論是帶電粒子、X射線、γ射線探測，還是中子探測，我們都可以為您選擇一款屬于您的探測器；核電子學，無論是傳統的NIM插件，還是集成度較高的VME系統，亦或是目前被大多數用戶所認可的高速數據采集卡（Digitizer），總有一套系統可以實現您的分析目標；高/低壓電源，前置放大器低壓電源、探測器高壓直流電源、加速器大功率電源系統、脈沖電源等，保障您的系統安全穩定運行。 服務對象包括研究所、高校、環保、醫療、輻射檢測設備生產企業等眾多領域。 我們不但可以提供客戶的產品，還可以根據客戶需求給出解決方案。客戶的需求即是我們工作的目標，客戶的滿意是我們不懈努力的方向！

電子背散射硅探測器

自1983年以來，MICRON已成為核物理、高能物理、空間物理、核醫學研究、OEM(原始設備制造商)市場的硅探測器的領先制造商。MICRON專門生產定制的AC和DC硅和金剛石探測器，被世界各地的用戶廣泛使用。

LL系列硅探測器設計結構為環形象限、靶孔和帶薄入口窗的雙元素探測器，針對性的用于電子顯微鏡中1keV的低能電子探測。

電子背散射硅探測器主要性能指標參數（以LL2-300為例）：

有效探測面積：6.858 mm(內徑) x 24.13 mm(外徑)

靶孔直徑：5.6mm

硅片厚度：300μm

死層厚度：1μm、100nm、50nm可選

表面電容：40 pF /cm2

正向電壓(10mA)：< 0.8 V

噪聲(12V) rms：< 2.5mV(相對值)

表面金屬化：鋁3000 ?

歐姆面金屬化：金3000?

封裝方式：PCB封裝

連接器：飛線連接（其他連接器類型可選）

質量保證：ISO9001

LL系列產品多種尺寸可選，可根據設計需求來電咨詢，選擇合適的探測器。


電子背散射硅探測器

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