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價(jià)格：電議
所在地：北京
型號(hào)：CS2350
更新時(shí)間：2019-07-02
瀏覽次數(shù)：2361
公司地址：北京通州區(qū)永順翠福園8號(hào)樓
夏佳麗(女士) 經(jīng)理
雙單元電化學(xué)工作站(雙恒電位儀）CS2350
CS2350雙單元電化學(xué)工作站是基于常規(guī)單通道系列CS350型發(fā)展而來(lái)，內(nèi)置兩套的恒電位/恒電流儀，每套恒電位儀各有一套輔助、工作和參比電輸出，并由Corrtest軟件來(lái)協(xié)調(diào)輸出電位/電流。
CS2350工作時(shí)分主單元和從單元兩路，從單元采用浮地模式實(shí)現(xiàn)對(duì)第二工作電WEII的電位/電流控制。第二工作電電位可以保持在的恒定電位或電流值，也可實(shí)現(xiàn)于一工作電的線性掃描或循環(huán)伏案掃描等測(cè)試。
因此，CS2350除了具備單通道工作站的所有特點(diǎn)，還可用于電化學(xué)反應(yīng)中間產(chǎn)物的檢測(cè)。
典型應(yīng)用
①配合旋轉(zhuǎn)環(huán)盤(pán)電用于研究電化學(xué)氧化還原體系，在測(cè)量圓盤(pán)電化曲線的同時(shí)，控制圓環(huán)電于一個(gè)固定的化電勢(shì)，用以檢測(cè)圓盤(pán)電上產(chǎn)生的反應(yīng)中間物，該方法也成為檢測(cè)反應(yīng)中間物和研究電反應(yīng)機(jī)理的典型流體動(dòng)力學(xué)方法。
②金屬中氫擴(kuò)散測(cè)試，兩個(gè)恒電位裝置配合Devnathan-Stachurski雙電解池，通過(guò)左側(cè)電解池的陰充氫和右側(cè)電解的氫原子陽(yáng)氧化電流測(cè)量，進(jìn)而計(jì)算氫原子在金屬中擴(kuò)散系數(shù)和氫通量。
硬件參數(shù)指標(biāo)
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雙恒電位儀：?jiǎn)魏汶娢浑娢豢刂品秶?plusmn;10V 雙恒電位儀電位控制范圍:±10V |
恒電流控制范圍：±2.0A |
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電位控制精度：0.1%×滿量程讀數(shù)±1mV |
電流控制精度：0.1%×滿量程讀數(shù) |
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電位靈敏度：10μV(>100Hz), 3μV(<10Hz) |
電流靈敏度：<10pA |
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電位上升時(shí)間：＜1μS(<10mA),＜10μS(<2A) |
電流量程：2A～200nA, 共8檔 |
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參比電輸入阻抗：1012Ω||20pF |
zui大輸出電流：2.0A |
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槽壓輸出：±21V |
電流掃描增量：1mA @1A/mS |
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CV和LSV掃描速度：0.001mV～10000V/s |
電位掃描電位增量：0.076mV @1V/mS |
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CA和CC脈沖寬度：0.0001～65000s |
DPV和NPV脈沖寬度：0.0001～1000s |
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SWV頻率：0.001～100KHz |
CV的zui小電位增量：0.075mV |
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AD數(shù)據(jù)采集：16bit@1MHz，20bit @1kHz |
電流與電位量程：自動(dòng)設(shè)置 |
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DA分辨率：16bit，建立時(shí)間：1μS |
低通濾波器 ：8段可編程 |
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通訊接口：USB2.0 |
儀器重量：6.5Kg |
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外形尺寸（cm）：36.5(W)X30.5 (D)X16 (H) |
電化學(xué)阻抗測(cè)量參數(shù)
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信號(hào)發(fā)生器 |
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頻率響應(yīng)：10μHz～1MHz |
交流信號(hào)幅值：1mV～2500mV |
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頻率度：0.005% |
信號(hào)分辨率：0.1Mv RMS |
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直流偏壓：-10V～+10V |
DDS輸出阻抗：50Ω |
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波形：正弦波，三角波，方波 |
正弦波失真率：<1% |
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掃描方式：對(duì)數(shù)/線性，增加/下降 |
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信號(hào)分析器 |
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zui大積分時(shí)間：106個(gè)循環(huán)或者105S |
測(cè)量時(shí)間延遲：0～105秒 |
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zui小積分時(shí)間：10mS 或者一個(gè)循環(huán)的長(zhǎng)時(shí)間 |
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直流偏置補(bǔ)償 |
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電位補(bǔ)償范圍：-10V～+10V |
電流補(bǔ)償范圍：-1A～+1A |
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帶寬調(diào)整：自動(dòng)或手動(dòng)設(shè)置, 共8級(jí)可調(diào) |
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CS2350雙單元電化學(xué)工作站功能方法
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功 能 方 法 |
主單元 |
從單元 |
功 能 方 法 |
主單元 |
從單元 |
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穩(wěn) 態(tài) 化 |
開(kāi)路電位測(cè)量（OCP） |
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溶 出 伏 安 |
恒電位溶出伏安 |
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恒電位化（i-t曲線） |
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線性溶出伏安 |
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恒電流化 |
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階梯溶出伏安 |
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動(dòng)電位掃描（TAFEL曲線） |
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方波溶出伏安 |
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動(dòng)電流掃描（DGP） |
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交 流 阻 抗 |
電化學(xué)阻抗（EIS）～頻率掃描 |
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暫 態(tài) 化 |
任意恒電位階梯波 |
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電化學(xué)阻抗（EIS）～時(shí)間掃描 |
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任意恒電流階梯波 |
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電化學(xué)阻抗（EIS）～電位掃描（Mott-Schottky曲線） |
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恒電位階躍（VSTEP） |
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恒電流階躍（ISTEP） |
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腐 蝕 測(cè) 量 |
循環(huán)化曲線（CPP） |
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快速電位脈沖 |
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線性化曲線（LPR） |
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快速電流脈沖 |
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動(dòng)電位再活化法（EPR） |
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計(jì) 時(shí) 分 析 |
計(jì)時(shí)電位法（CP） |
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電化學(xué)噪聲 (EN) |
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計(jì)時(shí)電流法（CA） |
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電偶腐蝕測(cè)量 (ZRA) |
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氫擴(kuò)散測(cè)試（HDT）* |
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計(jì)時(shí)電量法（CC） |
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電 池測(cè) 試 |
電池充放電測(cè)試 |
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伏 安 分 析 |
線性掃描伏安法（LSV） |
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線性循環(huán)伏安法（CV） |
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恒電流充放電 |
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階梯循環(huán)伏安法（SCV） |
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差分脈沖伏安法（DPV） |
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擴(kuò) 展 測(cè) 量 |
盤(pán)環(huán)電測(cè)試 * |
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常規(guī)脈沖伏安法（NPV） |
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數(shù)字記錄儀 |
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方波伏安法（SWV） |
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波形發(fā)生器 |
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交流伏安法（ACV） |
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圓盤(pán)電機(jī)控制 |
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常規(guī)差分脈沖伏安法（DNPV） |
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二次諧波交流伏安 (SHACV) |
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儀器配置：
1）儀器主機(jī)1臺(tái)
2）CorrTest測(cè)試與分析軟件1套
3）專用電解池（含鹽橋和排氣管）2套
4）鉑金電、參比電、工作電各2支
5）模擬電解池1個(gè)
6）電源線/USB數(shù)據(jù)線各1條
7）電電纜線2條
8）屏蔽箱（選配*）
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