緣柵雙型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，簡稱IGBT）作為功率開關器件，具有載流密度大、飽和壓降低等許多優點，但是由于其長期工作在高電壓、大電流、高頻開關狀態等且運行環境復雜，IGBT功耗和結溫頻繁波動容易造成器件疲勞老化。目前外溫度循環引起的器件失效機理已進行了深入研究，在此基礎上正積

西安易恩電氣坐落于西安渭北工業裝備區，是陜西省政府重點支持的高新技術企業。公司專注于研發、生產和銷售半導體封裝、測試設備。現已成為國內電力電子行業知名的測試方案供應商。公司以自主研發生產的“軌道機車半導體測試系統”系列產品為主導，在此基礎上相繼推出全自動IGBT參數測試系統、功率器件圖示系統、集成電路測試系統等系列產品。廣泛應用于科研院所、能源、電力電子、交通、船舶制造、軍工、高校等諸多領域。
完善的基礎設施和人才隊伍一直是企業強化建設的重點。公司設有測試實驗室，調試中心，產品研發中心，服務團隊等多個技研服務部門，以滿足不同客戶對測試解決方案的多層次需求。公司研發人員占總人數的40%，碩士學歷以上人員占75%，專業技術人員占比超過66%，成員大多來自航天、航空、半導體及微電子相關研究院所及電力電子行業內的資深人士。公司通過了質量體系ISO9000認證及陜西省軟件企業認定，承擔國家科技部創新基金項目等，目前獲得發明4項，實用新型15項，軟件著作權3項。

廠家直供正向壽命試驗臺

系統概述

     緣柵雙型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，簡稱IGBT）作為功率開關器件，具有載流密度大、飽和壓降低等

許多優點，

     但是由于其長期工作在高電壓、大電流、高頻開關狀態等且運行環境復雜，IGBT功耗和結溫頻繁波動容易造成器件疲勞老化。目前外溫度循環引起的器件失效機理已進行了深入研究，在此基礎上正積發展功率模塊壽命預測技術以提高變流器運行可靠性。

技術指標

測試參數 VF	0.01～20V 0.01～10V±3%±0.01V 10～20V±3%±0.1V
測試條件	正向電流：1mA～60A  直流方波
脈寬	50uS-1mS
工位	20只
測試方法	器件在特定溫度下存儲一定時間后，在設定電流后 按規定施加條件對被試器件依次進行測試，測試間 隔時間約100mS

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