（1）獨特的單線接口方式：DS18B20與微處理器連接時僅需要一條口線即可實現微處理器與DS18B20的雙向通訊。
　　（2）在使用中不需要任何外圍元件。
　　（3）可用數據線供電，電壓范圍：+3.0~ +5.5 V。
　　（4）測溫范圍：-55 ~+125 ℃。固有測溫分辨率為0.5 ℃。
　　（5）通過編程可實現9~12位的數字讀數方式。
　　（6）用戶可自設定非易失性的報警上下限值。
　　（7）支持多點組網功能，多個DS18B20可以并聯在惟一的三線上，實現多點測溫。
　　（8）負壓特性，電源性接反時，溫度計不會因發熱而燒毀，但不能正常工作。
2.DS18B20的內部結構
　　DS18B20采用3腳PR35封裝或8腳SOIC封裝，其內部結構框圖如圖1所示。

　　(1) 64 b閃速ROM的結構如下：

　　開始8位是產品類型的編號，接著是每個器件的惟一的序號，共有48位，后8位是前56位的CRC校驗碼，這也是多個DS18B20可以采用一線進行通信的原因。
　　(2) 非易市失性溫度報警觸發器TH和TL，可通過軟件寫入用戶報警上下限。
　　(3) 高速暫存存儲器
　　DS18B20溫度傳感器的內部存儲器包括一個高速暫存RAM和一個非易失性的可電擦除的E 2RAM。后者用于存儲TH，TL值。數據先寫入RAM，經校驗后再傳給E 2RAM。而配置寄存器為高速暫存器中的第5個字節，他的內容用于確定溫度值的數字轉換分辨率，DS18B20工作時按此寄存器中的分辨率將溫度轉換為相應精度的數值。該字節各位的定義如下：

　
低5位一直都是1，TM是測試模式位，用于設置DS18B20在工作模式還是在測試模式。在DS18B20出廠時該位被設置為0，用戶不要去改動，R1和R0決定溫度轉換的精度位數，即是來設置分辨率，如表1所示（DS18B20出廠時被設置為12位）。

　　由表1可見，設定的分辨率越高，所需要的溫度數據轉換時間就越長。因此，在實際應用中要在分辨率和轉換時間權衡考慮。
　　高速暫存存儲器除了配置寄存器外，還有其他8個字節組成，其分配如下所示。其中溫度信息（第1，2字節）、TH和TL值第3，4字節、第6～8字節未用，表現為全邏輯1；第9字節讀出的是前面所有8個字節的CRC碼，可用來保證通信正確。

　　當DS18B20接收到溫度轉換命令后，開始啟動轉換。轉換完成后的溫度值就以16位帶符號擴展的二進制補碼形式存儲在高速暫存存儲器的第1，2字節。單片機可通過單線接口讀到該數據，讀取時低位在前，高位在后，數據格式以0 062
5 ℃/LSB形式表示。溫度值格式如下：

　　對應的溫度計算：當符號位S=0時，直接將二進制位轉換為十進制；當S=1時，先將補碼變換為原碼，再計算十進制值。表2是對應的一部分溫度值。

　
DS18B20完成溫度轉換后，就把測得的溫度值與TH，TL作比較，若T>TH或T<TL,則將該器件內的告警標志置位，并對主機發出的告警搜索命令作出響應。因此，可用多只DS18B20同時測量溫度并進行告警搜索。
　　(4) CRC的產生
　　在64 b
ROM的zui高有效字節中存儲有循環冗余校驗碼（CRC）。主機根據ROM的前56位來計算CRC值，并和存入DS18B20中的CRC值做比較，以判斷主機收到的ROM數據是否正確。

3.DS18B20的測溫原理
　　DS18B20的測溫原理如圖2所示，圖中低溫度系數晶振的振蕩頻率受溫度的影響很小［1］，用于產生固定頻率的脈沖信號送給減法計數器1，高溫度系數晶振隨溫度變化其震蕩頻率明顯改變，所產生的信號作為減法計數器2的脈沖輸入，圖中還隱含著計數門，當計數門打開時，DS18B20就對低溫度系數振蕩器產生的時鐘脈沖后進行計數，進而完成溫度測量。計數門的開啟時間由高溫度系數振蕩器來決定，每次測量前，先將-55
℃所對應的基數分別置入減法計數器1和溫度寄存器中，減法計數器1和溫度寄存器被預置在 -55
℃ 所對應的一個基數值。減法計數器1對低溫度系數晶振產生的脈沖信號進行減法計數，當減法計數器1的預置值減到0時溫度寄存器的值將加1，減法計數器1的預置將重新被裝入，減法計數器1重新開始對低溫度系數晶振產生的脈沖信號進行計數，如此循環直到減法計數器2計數到0時，停止溫度寄存器值的累加，此時溫度寄存器中的數值即為所測溫度。圖2中的斜率累加器用于補償和修正測溫過程中的非線性，其輸出用于修正減法計數器的預置值，只要計數門仍未關閉就重復上述過程，直至溫度寄存器值達到被測溫度值，這就是DS18B20的測溫原理。
　　另外，由于DS18B20單線通信功能是分時完成的，他有嚴格的時隙概念，因此讀寫時序很重要。系統對DS18B20的各種操作必須按協議進行。操作協議為：初始化DS18B20（發復位脈沖）→發ROM功能命令→發存儲器操作命令→處理數據。各種操作的時序圖與DS1820相同，可參看文獻［2］。

4.DS18B20與單片機的典型接口設計
　 以MCS51單片機為例，圖3中采用寄生電源供電方式，
P1 1口接單線總線為保證在有效的DS18B20時鐘周期內提供足夠的電流，可用一個MOSFET管和89C51的P1 0來完成對總線的上拉［2］。當DS18B20處于寫存儲器操作和溫度A/D變換操作時，總線上必須有強的上拉，上拉開啟時間zui大為10
μs。采用寄生電源供電方式是VDD和GND端均接地。由于單線制只有一根線，因此發送接收口必須是三態的。主機控制DS18B20完成溫度轉換必須經過3個步驟：初始化、ROM操作指令、存儲器操作指令。假設單片機系統所用的晶振頻率為12
MHz，根據DS18B20的初始化時序、寫時序和讀時序，分別編寫3個子程序：INIT為初始化子程序，WRITE為寫（命令或數據）子程序，READ為讀數據子程序，所有的數據讀寫均由zui低位開始，實際在實驗中不用這種方式，只要在數據線上加一個上拉電阻4.7
kΩ,另外2個腳分別接電源和地。
5.DS18B20的延時問題
　　雖然DS18B20有諸多優點，但使用起來并非易事，由于采用單總線數據傳輸方式，DS18B20的數據I/O均由同一條線完成。因此，對讀寫的操作時序要求嚴格。為保證DS18B20的嚴格I/O時序，需要做較的延時。在DS18B20操作中，用到的延時有15
μs，90 μs，270 μs，540 μs等。因這些延時均為15 μs的整數倍，因此可編寫一個DELAY15（n）函數，源碼如下：

　　只要用該函數進行大約15 μs×N的延時即可。有了比較的延時保證，就可以對DS18B20進行讀寫操作、溫度轉換及顯示等操作。