rohs儀檢測性能EDX1800E可采集大容量計數，可減少采集時間的數字與傳統的模擬是兩代處理器術，術水平般差十年。模擬脈沖處理器般信號處理模式，死時間僅容許30%。...

rohs儀檢測性能EDX1800E

儀器的性能
是購買儀器很重要的個標
1、簡單介紹下儀器心臟，探測器。
為什么儀器的價格會相差那么遠，很大原因就因為這個。
依分辨率低檔次由低至常用的探測器有NaI晶體閃爍計數器，充氣（He,Ne,Ar,Kr,Xe等）正比計數管器、HgI2晶體探測器、半導體致冷SiPIN探測器、純硅晶體探測器、純鍺晶體探測器、電致冷或液氮致冷Si（Li）鋰漂移硅晶體探測器、Ge（Li）鋰漂移鍺探測器等。目前常用的是電致冷或液氮致冷Si（Li）鋰漂移硅晶體探測器、SiPIN探測器、純硅晶體探測器。探測器的性能主要體現在對熒光探測的檢出限、分辨率、探測能量范圍的大小等方面。所以你要儀器的檢出限好你就要看它了。
低檔探測器有效檢測元素數量少，對被測物質中微量元素較難檢測，分辨率般在700－1100eV，般可分析材料基體中元素數量較少，元素間相鄰較遠，含量較的單個元素。
中檔探測器有效檢測元素數量稍多，對痕量元素較難檢測，分辨率般在200－300eV，般用于檢測的對象元素不是相鄰元素，元素相鄰較遠（至少相隔1-2個元素以上），基體內各元素間影響較小。
探測器可以同時對不同濃度所有元素（般從Na至U）行檢測，分辨率般在150－180eV。可同時測定元素周期表中Na-U范圍的何元素。對痕量檢測可達幾個ppm量。
前面那兩檔檢測器，不能符合RoHS的要求，很多生產xrf的公司都宣稱他們的儀器能對Na到U元素行檢測，但測試的時候能把na到u元素分開嗎，我們都知道相鄰元素會互相干擾，如果干擾了，你說做出來的數據會準確嗎？
SiPIN探測器、純硅晶體探測器的分辨率般是200eV–270eV，電致冷或液氮致冷Si（Li）鋰漂移硅晶體探測器的分辨率為140eV–165eV.電制冷不需要消耗液氮，但他制冷藝復雜，價格也zui貴，靠消耗電來制冷，分辨率比液氮稍遜，但也符合rohs檢測的要求。液氮制冷需消耗液氮，使用起來不方便，但液氮的溫度很低，操作者須注意安，但它的分辨率比電制冷稍好。這里我們還要看探測器的面積，探測器面積越大，效率越。測試的時間就越短。市面上探測器面積有5—15mm2不等。很多XRF廠商都宣稱他們的儀器測試時間是3分鐘，是出個可靠的數據3分鐘嗎，還是減少測試條件，具體減少濾光片的轉換次數和livetime來達到減少測試時間。的確很多XRF的測試時間能達到3分鐘，但出的數據是很差的。只有少數儀器能達到這個水平。測試時間對RoHS這個行業也是很重要的，因為很多廠家的需檢測的產品多，天可能有300多個，甚至更多。如果購買了了臺低效率的XRF，你可能要再買幾個才能滿足你的測試量。
2、X光管
X光管也XRF的核心件之。大多數XRF廠商奉行拿來主義，做的就是組裝貼個的作。其性能壽命和分別的成本般是5000小時合幾千美金。而的X光管壽命般在10年以上，成本當然也達10多人民幣；就檢測器SiLi電制冷的，壽命同樣會在10年以上，成本至少15人民幣。
3、處理器
分為兩種：數字脈沖處理器和模擬脈沖處理器，前者在數據處理處理上速度好。數字脈沖處理快線路處理，容許死時間達60%。
可采集大容量計數，可減少采集時間的數字與傳統的模擬是兩代處理器術，術水平般差十年。模擬脈沖處理器般信號處理模式，死時間僅容許30%。不能行通量信號處理，為獲得大的計數須延長采集時間。
4、濾光片
濾光片多，可以有選擇的降低信噪比，對痕量分析十分有用。

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