是一種光譜吸收技術(shù)，通過分析激光被氣體的選擇性吸收來獲得氣體的濃度。它與傳統(tǒng)紅外光譜吸收技術(shù)的不同之處在于，半導體激光光譜寬度遠小于氣體吸收譜線的展寬，被廣泛用于多個領(lǐng)域中。
  激體分析儀具有直接安裝、無防爆問題、光纖分布、分體式連接、多點同時監(jiān)測、檢測范圍廣泛、超強的抗干擾能力、快速響應時間等特點。
    激體分析儀的原理
  1.朗伯-比爾定律
  因此，TDLAS技術(shù)是一種高分辨率的光譜吸收技術(shù)，半導體激光穿過被測氣體的光強衰減可用朗伯-比爾(Lambert-Beer)定律表述式中，IV，0和IV 分別表示頻率V的激光入射時和經(jīng)過壓力P，濃度X和光程L的氣體后的光強;S(T)表示氣體吸收譜線的強度;線性函數(shù)g(v-v0)表征該吸收譜線的形狀。通常情況下氣體的吸收較小，可用式(4-2)來近似表達氣體的吸收。這些關(guān)系式表明氣體濃度越高，對光的衰減也越大。因此，可通過測量氣體對激光的衰減來測量氣體的濃度。
  2.光譜線的線強
  氣體分子的吸收總是和分子內(nèi)部從低能態(tài)到高能態(tài)的能級躍遷相聯(lián)系的。線強S(T)反映了躍遷過程中受激吸收、受激輻射和自發(fā)輻射之間強度的凈效果，是吸收光譜譜線基本的屬性，由能級間躍遷概率經(jīng)及處于上下能級的分子數(shù)目決定。分子在不同能級之間的分布受溫度的影響，因此光譜線的線強也與溫度相關(guān)。如果知道參考線強S(T0)，其他溫度下的線強可以由下式求出式中，Q(T)為分子的配分函數(shù);h為普朗克常數(shù);c為光速;k為波爾茲曼常數(shù);En為下能級能量。
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